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于是设备制成后就极有可能产生各管之间的交叉耦合现象，这种现象的后果，轻则降低各管的输出功率和效率，重则损坏管子，使管子产生非寿命终了的失效。这种现象实际上与相控阵天线设计中遇到的各天线元之间的互耦现象是非常类似的。从相控阵天线理论中我们知道，这种各天线元之间的耦合产生四个效应，其中一个就是改变了每一个辐射元的输入阻抗，使其与单独辐射的输入阻抗发生了改变。在多管馈能时与单管馈能时的这一阻抗的改变，就会导致耦合效率的变化。如果我们在设计单管馈能时达到了佳匹配，那么这种交叉互耦现象的出现只会导致耦合效率的下降，导致输出功率的下降。这一下降程度则取决于交叉耦合的情况，目前尚无非常成功的设计范例和程序，而完全依靠实际经验来摸索。

由此可见钍钨阴极有许多优点。在单管或多管使用中，尤其是后者，往往处在交叉互耦的不利条件下，严重时会造成输出急剧下降，管内微波功率无法正常输出，这些已振荡的微波功率就耗散在管内阳极阴极及天线三个部件上，特别是阴极吸收微波功率后造成温度过高，终导致钍原子的大量蒸发，发射性能下降甚至丧失。其外在表现为管子无微波功率输出，而灯丝完好，没有断路现象，阳极高压也能加上，就是没有输出功率。

于是设备制成后就极有可能产生各管之间的交叉耦合现象，这种现象的后果，轻则降低各管的输出功率和效率，重则损坏管子，使管子产生非寿命终了的失效。这种现象实际上与相控阵天线设计中遇到的各天线元之间的互耦现象是非常类似的。从相控阵天线理论中我们知道，这种各天线元之间的耦合产生四个效应，其中一个就是改变了每一个辐射元的输入阻抗，使其与单独辐射的输入阻抗发生了改变。在多管馈能时与单管馈能时的这一阻抗的改变，就会导致耦合效率的变化。如果我们在设计单管馈能时达到了佳匹配，那么这种交叉互耦现象的出现只会导致耦合效率的下降，导致输出功率的下降。这一下降程度则取决于交叉耦合的情况，目前尚无非常成功的设计范例和程序，而完全依靠实际经验来摸索。

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